- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/1159 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] caractérisées par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H01L 27/1159
Brevets de cette classe: 518
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
141 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
57 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
50 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
36 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
22 |
| Intel Corporation | 45621 |
19 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 8770 |
16 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1115 |
15 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
15 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
13 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 64 |
13 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
9 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
6 |
| National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3677 |
6 |
| IMEC VZW | 1410 |
5 |
| NaMLab gGmbH | 23 |
5 |
| Sony Corporation | 32931 |
4 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6459 |
4 |
| Tokyo Institute of Technology | 1367 |
4 |
| Sunrise Memory Corporation | 192 |
4 |
| Autres propriétaires | 74 |